佳能 將于2020年2月下旬發售適用于200mm以下小型基板的i線步進式半導體光刻機 ^※ “FPA-3030iWa”。該設備將運用在預計未來需求增長的汽車功率器件、5G相關的通信器件、IoT相關器件(如MEMS和傳感器等)的制造工藝中。

　　FPA-3030iWa

　　通過結合鏡頭的革新和支持多種晶圓的搬運系統，新產品不僅能支持硅晶圓，也能支持化合物半導體材料的晶圓。該產品提高了曝光精度且支持多種晶圓，因此可廣泛滿足多種器件制造工藝的需求。

　　■兼容各種器件的工藝條件

　　新產品采用的投影透鏡具有52mm×52mm的廣角以及可從0.16到0.24范圍內進行變更的數值孔徑(NA)，在確保高焦點深度(DOF)的同時還可實現高曝光精度和均一線寬。此外，由于采用了可以在2英寸(50mm)到8英寸(200mm)之間自由選擇晶圓尺寸的處理系統，新設備可以支持各種化合物半導體晶圓。另外，由于使用可以在不通過投影透鏡的情況下測量對準標記的離軸對準鏡，因此可以在很寬的波長范圍內進行測量，這樣就能靈活用于各種器件的制造工藝中。

　　■通過更新硬件和軟件來提高生產力

　　新設備更新了用于化合物半導體晶圓的搬運系統和可以同時測量XY方向位置的對準鏡等的硬件和軟件，目前可以搬運舊機型「FPA-3000iW」(1995年2月發售)無法對應的透明基板(例如碳化硅等)和翹曲基板。

　　<什么是化合物半導體>

　　與傳統的硅不同，化合物半導體是一種使用多種元素作為半導體的材料，具有出色的電子性能。化合物半導體晶圓尺寸的主流是8英寸(200mm)或更小。使用化合物半導體的器件包括電動汽車中的功率器件、面向5G升級所需的大量通信器件和LED等光學器件，預計未來市場將不斷擴大。

　　<半導體曝光設備的市場動向>

　　在IoT的發展、電動汽車的普及、電子設備節能化的背景下，通信器件、功率器件等各種器件市場正在擴大，而在各類器件的制造中采用材料和形狀最合適的晶圓正在成為趨勢。其中，由碳化硅或氮化鎵制成的化合物半導體晶圓因其優異的電子性能而備受關注。因此，對于半導體曝光設備來說，也產生了需要應對化合物半導體晶圓的需求。

　　<主要產品規格> 有關產品規格的詳細信息請參考公司主頁

　　※ 使用了i線(水銀燈波長 365nm)光源的半導體曝光裝置。1nm(納米)是10億分之1米。

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